Nový objev by mohl posunout technologický pokrok

Moorův zákon, který tvrdí, že počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí, naráží na základní fyzická omezení. Pokud nenalezneme vhodný přístup, tato omezení by mohla zbrzdit desítky let pokroku.

Jedním z řešení by mohlo být použití materiálů o atomové tloušťce namísto křemíku při výrobě nových tranzistorů, ale propojení těchto „2D“ materiálů s tradičními elektronickými součástkami se ukazuje jako nadmíru obtížný úkol. Vědecký tým, tvořený výzkumníky z Massachusettského technologického institutu a Kalifornské univerzity v Berkeley nyní ve spolupráci s tchajwanským výrobcem polovodičových disků Taiwan Semiconductor Manufacturing Company vyvinul nový způsob spojení těchto součástek.

Teoreticky tak znásobili potenciál 2D materiálů a miniaturizace komponent. Dle vyjádření výzkumníků se podařilo vyřešit jeden z největších problémů miniaturizace polovodičových zařízení – přechodový odpor mezi kovovou elektrodou a jednovrstvým polovodičovým materiálem. Řešení je snadné: použití bismutu namísto tradičních kovů ke spojení s jednovrstvým materiálem.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-