Ukládání dat na molekulární úrovni

Od chytrých telefonů po superpočítače, narůstající potřeba menších a úspornějších zařízení je hnacím motorem technologií pro ukládání dat na paměťová zařízení s vysokou hustotou záznamu.

Výzkumníci z Manchesterské univerzity nyní prokázali, že ukládání dat pomocí jisté třídy molekul zvaných jednomolekulové magnety, je mnohem výhodnější, než se dříve myslelo. Výzkum pod vedením Dr. Davida Millse a Dr. Nicholase Chiltona z oddělení chemie při Manchesterské univerzitě byl publikován v časopise Nature. Dokládá, že magnetická hystereze, tedy paměťový efekt, který je nezbytným předpokladem při ukládání dat, funguje u jednotlivých molekul při teplotě -213 °C, což se blíží teplotě tekutého dusíku (-196 °C).

Znamená to, že ukládání dat pomocí jednotlivých molekul se může stát realitou, jelikož servery by mohly být chlazeny s využitím relativně levného tekutého dusíku, namísto mnohem nákladnějšího tekutého helia. Výzkumníci svá pozorování doložili funkčním modelem a otevřeli tak potenciálně dveře použití této technologie v blízké budoucnosti.

Celý článek na Phys.org

Image Credit: Pexels

-jk-